| 可变占空比的双脉冲电源在铜铟镓硒预置层制备中的应用 |
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| 引用本文： | 刘戈,李凤岩,刘一鸣,于涛,孙云.可变占空比的双脉冲电源在铜铟镓硒预置层制备中的应用[J].真空,2008,45(4). |
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| 作者姓名： | 刘戈 李凤岩 刘一鸣 于涛 孙云 |
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| 基金项目： | 天津市科技攻关项目
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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创新资金 |
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| 摘 要： | 用交替溅射的方法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池预置层.通过可变占空比的电源控制器实现对Cu/Ga合金靶以及In靶溅射时间的控制,进而实现对最后元素配比的控制.实验中发现,在一个溅射周期中,Cu/Ga合金靶溅射时间对最后成分影响最大,其次是In靶溅射时间,非溅射时间的长短对成分也有影响.交替溅射制备的铜铟镓硒预置层经过XRD检测,合金相主要为Cu11In9.
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| 关 键 词： | 铜铟镓硒 溅射 SPIK-2000 A 可变占空比 双脉冲电源 铜铟镓硒 预置层 应用 thin films CIGS layer preparation variable power supply 合金相 检测 溅射制备 成分影响 合金靶溅射 周期 发现 实验 配比 |
Application of dipulse power supply with variable duty ratio to the preparation of predeposited layer of CIGS thin films |
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| LIU Ge,LI Feng-yan,LIU Yi-ming,YU Tao,SUN Yun.Application of dipulse power supply with variable duty ratio to the preparation of predeposited layer of CIGS thin films[J].Vacuum,2008,45(4). |
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| Authors: | LIU Ge LI Feng-yan LIU Yi-ming YU Tao SUN Yun |
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