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| 10～11GHz 1W GaAs功率单片集成电路 | |
| 引用本文： | 张玉清,张慕义.10～11GHz 1W GaAs功率单片集成电路[J].半导体情报,1997,34(1):32-35. |
| 作者姓名： | 张玉清 张慕义 |
| 摘 要： | 介绍了以栅宽１．２ｍｍ ＧａＡｓＦＥＴ器件为基础的两级ＧａＡｓ功率单片集成电路的设计、制作及其性能，该两级单片集成电路在１０￣１１ＧＨｚ频带内，输出功率１Ｗ，增益１０ｄＢ。 |
| 关 键 词： | 砷化镓 单片集成电路 设计 |
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