| IGBT功率模块键合线故障下的温度特性研究 |
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| 引用本文： | 禹鑫,杜明星,窦汝振,魏克新. IGBT功率模块键合线故障下的温度特性研究[J]. 电力电子技术, 2015, 49(2): 55-57 |
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| 作者姓名： | 禹鑫 杜明星 窦汝振 魏克新 |
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| 作者单位： | 1. 天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室,天津理工大学,天津300384
2. 中国汽车技术研究中心,天津,300300 |
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| 基金项目： | National Science & Technology Pillar Program，国家科技支撑计划课题 |
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| 摘 要： | 针对IGBT功率模块不断承受温度变化和功率循环后导致的键合线脱落(典型故障之一),基于红外探测法和热电阻接触测温法,研究了IGBT模块键合线故障下从芯片到底板的稳态热阻抗、芯片温场分布和温度变化。研究表明:键合线脱落不会影响IGBT模块从芯片到底板的稳态热阻抗值;键合线脱落后,芯片表面温场分布不均且芯片中心温度变化率增大。这些温度变化特性均可作为诊断键合线故障的重要依据。
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 键合线故障 温度特性 |
The Research About Temperature Characteristics of IGBT Power Modules Under the Bonding Wires Failure |
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| YU Xin,DU Ming-xing,DOU Ru-zhen,WEI Ke-xin. The Research About Temperature Characteristics of IGBT Power Modules Under the Bonding Wires Failure[J]. Power Electronics, 2015, 49(2): 55-57 |
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| Authors: | YU Xin DU Ming-xing DOU Ru-zhen WEI Ke-xin |
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| Affiliation: | YU Xin;DU Ming-xing;DOU Ru-zhen;WEI Ke-xin;Tianjin Key Laboratory of Control Theory & Applications in Complicated System,Tianjin University of Technology; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | insulated gate bipolar transistor bonding wires fault characteristics of temperature |
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