| TaN薄膜电阻的功率加载特性研究 |
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| 引用本文： | 秦跃利,何文杰,石磊,谢飞.TaN薄膜电阻的功率加载特性研究[J].电子元件与材料,2015(3):1-3. |
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| 作者姓名： | 秦跃利 何文杰 石磊 谢飞 |
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| 作者单位： | 中国西南电子设备研究所,四川 成都,610036 |
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| 摘 要： | 通过射频反应溅射,在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化,研究了高温下TaN薄膜氧化所造成的电阻失效。按照混合集成电路规范的测试条件,在环境温度为70℃,TaN薄膜电阻的厚度为0.1μm,氧化铝基板厚度为0.125mm的条件下,TaN薄膜电阻可以耐受4W/mm2的功率密度,或者9.4W/mm2的1min瞬时功率密度冲击。
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| 关 键 词： | TaN 薄膜电阻 失效 功率加载 氧化 温度 |
Study on the tolerance of TaN film resistors for loading power |
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| QIN Yueli,HE Wenjie,SHI Lei,XIE Fei.Study on the tolerance of TaN film resistors for loading power[J].Electronic Components & Materials,2015(3):1-3. |
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| Authors: | QIN Yueli HE Wenjie SHI Lei XIE Fei |
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| Affiliation: | QIN Yueli;HE Wenjie;SHI Lei;XIE Fei;Southwest institute of electric equipment; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | TaN film resistor failure power loading oxidation temperature |
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