| 氩离子轰击和溅射功率对Cu薄膜结构及性能的影响 |
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| 引用本文： | 周序乐,唐振方,吉锐,沈娇. 氩离子轰击和溅射功率对Cu薄膜结构及性能的影响[J]. 真空, 2009, 46(2) |
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| 作者姓名： | 周序乐 唐振方 吉锐 沈娇 |
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| 作者单位： | 暨南大学物理系,广东,广州,510632 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射法在PI柔性衬底上制备Cu膜.通过接触角测试仪、X射线衍射仪、四探针测试仪等仪器研究了Ar+轰击时间和溅射功率对薄膜接触角、择优取向、晶粒大小及电阻率的影响.测试结果表明:随着Ar+轰击时间的延长,接触角减小,轰击时间为3 min时,接触角达到最小为45.0°,进一步延长Ar+轰击时间反而会导致接触角增大.Ar+轰击时间由1 min增加到3 min时,平均晶粒尺寸由16.6 nm增加到22.9 nm,电阻率从16.2 μΩ·cm降低到10.7 μΩ·cm.溅射功率从3250 W增加到7500 W时,(111)晶面择优取向增强,Cu膜平均晶粒尺寸由15.1nm增加到17.6nm,电阻率从11.6μΩ·cm降低到7.4μΩ·cm.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 Gu薄膜 溅射功率 放电时间 择优取向 电阻率 |
Influence of argon ion bombardment and sputtering power on the structure and properties of Cu thin film |
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| ZHOU Xu-le,TANG Zheng-fang,JI Rui,SHENG Jiao. Influence of argon ion bombardment and sputtering power on the structure and properties of Cu thin film[J]. Vacuum(China), 2009, 46(2) |
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| Authors: | ZHOU Xu-le TANG Zheng-fang JI Rui SHENG Jiao |
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