| 一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器 |
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| 引用本文： | 程知群,周肖鹏,陈敬.一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器[J].半导体学报,2008,29(12):2297-2300. |
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| 作者姓名： | 程知群 周肖鹏 陈敬 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验宅,杭州,310018;香港科技大学电子与计算机工程系,香港 |
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| 摘 要： | 设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器，采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT (CC-HEMT). 给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果. 测试结果显示低噪声分布式放大器在2~10GHz频率范围内，输入和输出端口驻波比均小于2.0，相关增益大于7.0dB，带内增益波纹小于1dB . 在2~6GHz频率范围内，噪声系数小于5dB；在2~10GHz频率范围内，噪声系数小于6.5dB; 测试结果与仿真结果较吻合.
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| 关 键 词： | 低噪声 分布式放大器 复合沟道 GaN HEMTs |
| 收稿时间： | 6/16/2008 2:39:18 PM |
| 修稿时间： | 7/14/2008 4:11:56 PM |
Low Noise Distributed Amplifiers Using a Novel Composite-Channel GaN HEMTs |
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| Cheng Zhiqun,Zhou Xiaopeng and Chen J Kevin.Low Noise Distributed Amplifiers Using a Novel Composite-Channel GaN HEMTs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(12):2297-2300. |
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| Authors: | Cheng Zhiqun Zhou Xiaopeng and Chen J Kevin |
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| Affiliation: | Key Laboratory of RF Circuit and System of the Ministry of Education,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China;Key Laboratory of RF Circuit and System of the Ministry of Education,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China;Department of Electronic and Computer Engineering,Hong Kong University of Science and Technology,Hong Kong,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low noise distributed amplifiers composite-channel GaN HEMTs |
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