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微扰和标定技术测量薄膜微波介电常数
引用本文:董树荣,王德苗,金浩.微扰和标定技术测量薄膜微波介电常数[J].真空科学与技术学报,2006,26(Z1):20-22.
作者姓名:董树荣  王德苗  金浩
作者单位:浙江大学信息学院信电系,杭州,310027
摘    要:提出了一种测量介质薄膜微波段介电常数的方法.该方法基于金属空腔谐振器微扰理论,用已知介电常数的基片作为标样,标定测量系统的有关参数,然后分别测量空腔、基片插入空腔、镀有介质薄膜的基片插入空腔三种情况下的谐振腔谐振频率,计算出镀覆于基片上介质薄膜的微波复介电常数.本文SiO2和MgTiO3-CaTiO3(MCT)介质陶瓷薄膜作了实验测量验证,结果表明该方法具有良好的测量精度(小于6%).

关 键 词:介质薄膜  介电常数  测量  谐振腔  微扰
文章编号:1672-7126(2006)增-0020-03
修稿时间:2005年9月1日

Newly Developed Technique for Permittivity Measurement of Thin Film by Perturbation
Dong Shurong,Wang Demiao,Jin Hao.Newly Developed Technique for Permittivity Measurement of Thin Film by Perturbation[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(Z1):20-22.
Authors:Dong Shurong  Wang Demiao  Jin Hao
Abstract:
Keywords:
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