| 真空热压烧结对高纯W-Si合金靶材性能影响 |
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| 引用本文： | 丁照崇,何金江,罗俊锋,李勇军,熊晓东. 真空热压烧结对高纯W-Si合金靶材性能影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2014, 43(6): 1403-1406 |
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| 作者姓名： | 丁照崇 何金江 罗俊锋 李勇军 熊晓东 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院，北京 100088 |
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| 摘 要： | 以高纯W-Si合金粉(>99.995%)为原料,采用真空热压烧结工艺制备高纯W-Si合金靶材。研究烧结温度、热压压力、保温时间等工艺条件对靶材密度、微观组织性能的影响。结果表明,烧结温度在1350~1380℃,热压压力25~30 MPa,保温时间1.5~2 h,可制备出相对密度99%以上、平均晶粒尺寸100μm以内的高性能W-Si合金靶材。
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| 关 键 词： | 高纯W-Si合金 磁控溅射靶材 真空热压烧结 |
| 收稿时间： | 2013-06-05 |
Effects of Vacuum Hot Pressing Sintering on the Performance of High Purity W-Si Alloy Target |
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| Ding Zhaochong,He Jinjiang,Luo Junfeng,Li Yongjun and Xiong Xiaodong. Effects of Vacuum Hot Pressing Sintering on the Performance of High Purity W-Si Alloy Target[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2014, 43(6): 1403-1406 |
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| Authors: | Ding Zhaochong He Jinjiang Luo Junfeng Li Yongjun Xiong Xiaodong |
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| Affiliation: | General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high purity W-Si alloy magnetron sputtering target vacuum hot pressing sintering |
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