| 高温氧化对渗硅碳化硅材料强度的影响 |
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| 引用本文： | 魏明坤,张丽鹏,武七德.高温氧化对渗硅碳化硅材料强度的影响[J].武汉理工大学学报,2001,23(8):1-3,10. |
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| 作者姓名： | 魏明坤 张丽鹏 武七德 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学 |
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| 基金项目： | 国家“九五”攻关项目资助 (96 - A10 - 0 1- 0 7) |
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| 摘 要： | 研究了全碳粉反应渗硅碳化硅（PCRBSC）材料，在1300℃静态空气中的高温氧化行为，研究结果表明：PCRBSC材料的气化过程遵循直线－抛物线规律，基结构对高温氧化有很大的影响，特别是游离硅fsi的含量明显影响氧化后PCRBSC材料的残余抗折强度。
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| 关 键 词： | 渗硅碳化硅 游离硅 高温氧化 残余抗折强度 非氧化物陶瓷 失效机制 |
Influence of Melt-infiltrated Silicon Carbide on High Temperature Oxidation |
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| Wei Mingkun,Zhang Lipeng,Wu Qide.Influence of Melt-infiltrated Silicon Carbide on High Temperature Oxidation[J].Journal of Wuhan University of Technology,2001,23(8):1-3,10. |
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| Authors: | Wei Mingkun Zhang Lipeng Wu Qide |
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| Affiliation: | Wei Mingkun Zhang Lipeng Wu Qide |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | melt infiltrated silicon carbide free silicon high temperature oxidation flexural strength |
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