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| 碳化硅发热元件失效分析 | |
| 引用本文： | 吕振林,李世斌,高积强,金志浩,李贺军.碳化硅发热元件失效分析[J].机械工程材料,2002,26(6):37-39. |
| 作者姓名： | 吕振林 李世斌 高积强 金志浩 李贺军 |
| 作者单位： | 1. 西北工业大学材料科学与工程学院,陕西西安710072;西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安710048 2. 西安交通大学材料科学与工程学院,陕西西安710049 3. 西北工业大学材料科学与工程学院,陕西西安710072 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 ( 59772 0 13) |
| 摘 要： | 对国产炉用碳化硅发热元件在1600℃空气中的高温失效行为进行了研究。结果表明：在900℃以下随温度升高，碳化硅发热元件电阻缓慢减小，超过900℃后随温度升高电阻增加较快；1600℃时随保温时间的增加，碳化硅发热元件的电阻缓慢增加，250min后，电阻急剧增加，直至发热元件断裂。失效表面分析表明，碳化硅发热元件表面以生成气相产物为主，断口处以生成玻璃相为主。 |
| 关 键 词： | 碳化硅 发热元件 失效分析 |
| 文章编号： | 1000-3738(2002)06-0037-03 |
| 修稿时间： | 2001年5月14日 |
Failure Analysis of Silicon Carbide Heating Element |
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| Abstract: | |
| Keywords: | silicon carbide heating element failure analysis |
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