CNTs化学修饰的γ剂量效应 |
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作者姓名: | 郭金学 李宇国 吴胜伟 李文新 |
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作者单位: | 中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800;中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800;中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800;中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800 |
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摘 要: | 实验证明荷能粒子和高能光子能在碳纳米管(CNT)上产生结构性缺陷。根据缺陷浓度可能影响连接在纳米管上功能基团浓度的假设,Skakalova等用SOCl2对γ射线辐照以后的碳壁纳米管进行功能化化学处理。结果发现,由这些碳纳米管制成的纳米管纸(NT-paper),无论是杨氏模量还是导电性都大大增加,但是没有给出的关于辐照剂量和连接在纳米管上功能基团浓度关联的直接证据。
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关 键 词: | 多壁碳纳米管 γ射线辐照 化学修饰 剂量效应 |
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