氧离子注入无定形GaAs的形成及其在外延中的应用 |
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作者姓名: | 丁永庆 陆凤贞 彭瑞伍 |
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作者单位: | 中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所 |
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摘 要: | 用能量为60kev而剂量不同的氧离子注入研究了GaAs无定形层的形成,并从光吸收法测量计算了形成无定形层所需的临界剂量和能量,分别为5×10~(14)O~+/cm~2和每原子38ev。用氧离子注入的GaAs衬底在MO-CVD反应器中进行了GaAs外延生长。发现随着离子注入造成的表面损伤密度的增加,外延单晶过渡到不生长晶核,这就为选择外延获得应用提供了可能性。
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