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| 先进DRAM驱动高深宽比刻蚀的发展 | |
| 作者姓名： | S.Welch K.Keswick P.Stout J.Kim W.Lee C.Ying K.Doan H.S.Kim B.Pu |
| 作者单位： | Applied;Materials;Inc.; |
| 摘 要： | DRAM器件制造商通过缩小设计规则、芯片尺寸来提高存储器性能和密度的方法，正面临着众多挑战。增大电容面积，使用更高介电常数的材料，以及减薄介电材料厚度等方法都能够继续延续电容的形式和功能。 |
| 关 键 词： | DRAM 高深宽比 高介电常数 刻蚀 驱动 材料厚度 设计规则 芯片尺寸 |
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