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| 薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二准电流模型 | |
| 引用本文： | 程玉华,王阳元.薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二准电流模型[J].电子学报,1993,21(11):24-30. |
| 作者姓名： | 程玉华 王阳元 |
| 摘 要： | 本文在分析薄膜全耗尽ＳＯＩ器件特殊物理效应的基础上，建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率，速度饱和以及短沟道效应等物理效应，可以描述薄膜全耗尽ＳＯＩ器件所特有的膜厚效应，正背栅耦合（背栅效应）等对器件件特性的影响。并且保证了电流，电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比，在整个工作区域（不考虑载流子碰撞离化的情况下） |
| 关 键 词： | SOI技术 薄膜 SOI器件 MOSFET |
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