| ULSI相移光刻技术＊ |
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| 引用本文： | 王阳元 俞忠钰. ULSI相移光刻技术＊[J]. 电子学报, 1993, 21(2): 77-83 |
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| 作者姓名： | 王阳元 俞忠钰 |
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| 作者单位： | 化京大学微电子学研究所，化京大学微电子学研究所，化京大学微电子学研究所，机械电子工业部 北京 1000871，北京 1000871，北京 1000871，北京 100820 |
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| 摘 要： | 相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。
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| 关 键 词： | 光学光刻 相移 相移掩模 集成电路 |
Phase Shifting Lithography for ULSI Applications |
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| Wang Yangyuan,Xu Li,Wu Guoying. Phase Shifting Lithography for ULSI Applications[J]. Acta Electronica Sinica, 1993, 21(2): 77-83 |
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| Authors: | Wang Yangyuan Xu Li Wu Guoying |
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| Abstract: | Recently, phase shifting lithography, as a novel lithography process, has been developped (or ULSI applications. It utilizes optical phase shifting mask to improve resolution limit for an existing wafer stepper. This paper describes the development of phase shifting lithography and its applications in ULSI technology. |
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| Keywords: | Optical lithography Phase shift Phase shifting mask |
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