| 原子层沉积技术及其在铁电薄膜制备中的应用 |
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| 引用本文： | 王志育 焦岗成 樊慧庆. 原子层沉积技术及其在铁电薄膜制备中的应用[J]. 材料导报, 2007, 21(F05): 220-222 |
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| 作者姓名： | 王志育 焦岗成 樊慧庆 |
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| 作者单位： | 西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室,西安710072 |
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| 基金项目： | 教育部优秀青年教师和新世纪人才计划资助项目;西北工业大学科技创新基金和研究生种子基金项目（Z200516,Z200517） |
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| 摘 要： | 讲述原子层沉积技术原理与特点的同时，进一步论述了它在沉积机理和实验真空度这两方面与传统薄膜沉积工艺的异同；综述了此技术在铁电薄膜制备研究方面的最新进展，前驱体的制备与选择、薄膜缺陷的控制以及表面化学反应动力学依然是当前原子层制备铁电薄膜研究的重点；最后展望了原子层沉积技术制备铁电薄膜的发展方向。
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| 关 键 词： | 原子层沉积 铁电薄膜 原理与应用 |
Principle and Application of Ferroelectric Films by Atomic Layer Deposition |
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| WANG Zhiyu, JIAO Gangcheng, FAN Huiqing. Principle and Application of Ferroelectric Films by Atomic Layer Deposition[J]. Materials Review, 2007, 21(F05): 220-222 |
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| Authors: | WANG Zhiyu JIAO Gangcheng FAN Huiqing |
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| Keywords: | atomic layer deposition ferroelectric film principle and application |
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