| BST薄膜的残余应力分析 |
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| 引用本文： | 尹开锯,杨传仁,冷文建,廖家轩,符春林,张继华,陈宏伟,姬洪. BST薄膜的残余应力分析[J]. 电子元件与材料, 2005, 24(11): 59-61 |
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| 作者姓名： | 尹开锯 杨传仁 冷文建 廖家轩 符春林 张继华 陈宏伟 姬洪 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜,利用气氛炉对薄膜进行晶化处理,晶化后薄膜的应力采用XRD表征。研究其残余应力随晶化温度变化的趋势。结果表明:在550,650,700℃晶化后的BST薄膜宏观残余应力表现为压应力,且随着晶化温度的升高,呈线性变大。
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| 关 键 词： | 无机非金属材料 钛酸锶钡薄膜 晶化 残余应力 |
| 文章编号： | 1001-2028（2005）11-0059-03 |
| 收稿时间： | 2005-05-25 |
| 修稿时间： | 2005-05-25 |
Residual Stress Analysis of BST Thin Films |
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| YIN Kai-ju, YANG Chuan-ren, LENG Wen-jian, LIAO Jia-xuan, FU Chun-lin, CHEN Hong-wei, JI hong. Residual Stress Analysis of BST Thin Films[J]. Electronic Components & Materials, 2005, 24(11): 59-61 |
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| Authors: | YIN Kai-ju YANG Chuan-ren LENG Wen-jian LIAO Jia-xuan FU Chun-lin CHEN Hong-wei JI hong |
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| Abstract: | (Ba,Sr)TiO3(BST) thin films were prepared on Pt/Ti/SiO2/Si(100) substrates by RF-magnetron sputtering,and then were annealed in oxygen ambience at 550,650 and 700℃,respectively.The stress change of BST thin films was analyzed by XRD.The results reveal that the residual stresses in the thin films are compressive stresses which is linear with increase of annealing temperature. |
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| Keywords: | inorganic non-metallic materials BST thin films post-annealing residual stress |
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