| 高功率半导体激光器线阵列的波长锁定技术 |
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| 引用本文： | 皮浩洋,辛国锋,程灿,瞿荣辉,方祖捷,陈高庭. 高功率半导体激光器线阵列的波长锁定技术[J]. 红外与激光工程, 2008, 37(5) |
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| 作者姓名： | 皮浩洋 辛国锋 程灿 瞿荣辉 方祖捷 陈高庭 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 大功率半导体激光器稳频技术的研究 |
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| 摘 要： | 高功率半导体激光器光谱随温度和工作电流的变化比较大,光谱线宽比较宽,这些缺点直接限制了其实际应用.因此,高功率半导体激光器波长稳定技术的研究是激光领域的一个重要研究方向.对波长稳定技术进行研究.实验用体布拉格光栅(VBG)作为反馈元件与高功率半导体激光器线阵列,构成可以对其波长进行锁定的外腔激光器.分析了外腔激光器的波长锁定效果与高功率半导体激光器工作电流、冷却温度、工作电流的占空比和"smile"现象等因素的关系.研究结果表明,高功率半导体激光器的工作电流、冷却温度、工作电流的占空比会影响其激射波长,当激射波长与VBG的布拉格波长差值小于3.0 nm时,可以得到较好的波长锁定效果,而阵列本身的"smile"现象对其波长锁定的影响不大.
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| 关 键 词： | 波长锁定 半导体激光器线阵列 体布拉格光栅 外腔 |
Wavelength locked high power semiconductor laser linear array |
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| PI Hao-yang,XIN Guo-feng,CHENG Can,QU Rong-hui,FANG Zu-jie,CHEN Gao-ting. Wavelength locked high power semiconductor laser linear array[J]. Infrared and Laser Engineering, 2008, 37(5) |
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| Authors: | PI Hao-yang XIN Guo-feng CHENG Can QU Rong-hui FANG Zu-jie CHEN Gao-ting |
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