| 无机相变信息存储材料研究新进展 |
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| 引用本文： | 孙华军,侯立松,魏劲松,吴谊群.无机相变信息存储材料研究新进展[J].激光与光电子学进展,2008,45(4):15-24. |
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| 作者姓名： | 孙华军 侯立松 魏劲松 吴谊群 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 硫族化合物合金GeSbTe(GST)和AgInSbTe等相变材料(PCM)已经在光存储技术中得到广泛的应用,用相变电存储器件作为闪存的替代产品已成为国内外研究的热点.与此同时,相变材料在一些领域也取得了新的应用.总结了近年来国内外在相变材料的存储机制、光/电存储性能的改进以及新应用等方面的最新研究成果,并展望了相变材料的研究前景.
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| 关 键 词： | 相变材料 纳米结构 光/电存储 改性 |
| 收稿时间： | 2007/12/11 |
| 修稿时间： | 2007年12月11 |
New Progresses in Inorganic Phase-Change Materials for Information Storage |
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| Sun Huajun,Hou Lisong,Wei Jingsong,Wu Yiqun.New Progresses in Inorganic Phase-Change Materials for Information Storage[J].Laser & Optoelectronics Progress,2008,45(4):15-24. |
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| Authors: | Sun Huajun Hou Lisong Wei Jingsong Wu Yiqun |
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| Abstract: | Phase-change chalcogenide alloys GeSbTe and AgInSbTe have been successfully used in rewritable optical discs， and researches in the phase change memory(PCM) device as substitute for flash memory is becoming a hotspot in the field of information storage. Also， new applications of phase-change materials have been developed in the related areas. Latest experimental and theoretical results on the mechanism and improvement in the optical / electrical storage properties， as well as some new applications of phase-change materials are reviewed， and their development trend is prospected. |
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| Keywords: | phase-change material nanostructure optical/electrical storage modification |
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