用于SOI的硅／二氧化硅热粘合技术

最近,热粘结应用于绝缘体上硅(SOI)工艺,引起了人们的广泛注意。热粘接(又称直接粘结)分两步进行:首先将经过抛光和彻底水解的硅和/或二氧化硅表面进行粘合;然后将其退火,以促成扩散粘结。为了制作高质量的SOI层,必须证明两硅片间的整个粘结表面无空隙存在(我们在实验中用的是 4英寸硅片)。我们发现,在用标准的硅片退火工艺进行退火之后,还必须在高温、高压下进行退火,以获得完全无空隙的界面。另外,我们还发现,为了确保热处理完成以后不留任何空隙,硅片的粘合操作,必需在可控气氛中进行。我们将提供揭示粘结界面原子结构的透射电子显微照片。我们还将给出显示粘结空隙表面本质的C型扫描声学显微照片和红外透射热成像。