| 直拉硅单晶中氢行为的研究进展 |
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| 引用本文： | 李金刚,杨德仁,马向阳,阙端麟.直拉硅单晶中氢行为的研究进展[J].材料导报,2007,21(9):24-27. |
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| 作者姓名： | 李金刚 杨德仁 马向阳 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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| 摘 要： | 总结了氢对直拉硅(CZ)单晶中缺陷影响的研究进展,主要介绍了氢促进氧扩散、热施主和氧沉淀生成,以及高温氢气退火促进直拉硅片空洞型缺陷消除的机理,其中氢促进硅中氧的扩散被认为是氢对直拉硅中的缺陷产生影响的主要原因.
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| 关 键 词： | 氢 氧扩散 热施主 氧沉淀 空洞型缺陷 |
Recent Research on Hydrogen Behavior in Czochralski Silicon |
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| LI Jingang,YANG Deren,MA Xiangyang,QUE Duanlin.Recent Research on Hydrogen Behavior in Czochralski Silicon[J].Materials Review,2007,21(9):24-27. |
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| Authors: | LI Jingang YANG Deren MA Xiangyang QUE Duanlin |
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| Affiliation: | State Key Lab of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hydrogen oxygen diffusion thermal donor oxygen precipitates void-type defects |
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