兆电子伏级(MeV)高能离子注入机设计的几个问题 |
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引用本文: | Robert D.Rathmell
,Mark L.Sundquist
,吴三羊.兆电子伏级(MeV)高能离子注入机设计的几个问题[J].微细加工技术,1985(2). |
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作者姓名: | Robert D.Rathmell Mark L.Sundquist 吴三羊 |
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摘 要: | 本文将叙述两种离子注入系统,它们使用静电加速器产生MeV离子束来进行圆片的生产处理。一种系统使用额定端电压为1MV的串级加速器产生750keV到3MeV的离子束。另一系统使用具有2MV额定端电压的单级加速器,它所提供的能量范围是300keV到2MeV。两种系统都使用静电扫描和连续式盒对盒圆片输送装置,以进行完全自动的园片加工。本文还将对这两种系统的优点和局限性进行比较。
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