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掺Y对二氧化钛低压压敏陶瓷性能的影响
引用本文:苏文斌,王矜奉,李长鹏,陈洪存,李明明.掺Y对二氧化钛低压压敏陶瓷性能的影响[J].压电与声光,2001,23(5):402-404,408.
作者姓名:苏文斌  王矜奉  李长鹏  陈洪存  李明明
作者单位:济南大学物理系
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50072013)
摘    要:通过对样品密度、介电常数、I-V特性及晶界势垒特性的测定和分析,研究掺Y对(Y,Nb)掺杂的二氧化钛低压压敏-电容性能的影响.掺入x(Y2O3)0.60%的样品显示出最高的非线性常数(α=7.86)以及最高的相对介电常数(εr=8.54×104)和样品密度(可达理论密度的98.8%),与该样品最高且窄的晶界缺陷势垒相一致,是一种较为理想的压敏-电容陶瓷.提出了TiO2@Y2O3@Nb2O5晶界缺陷势垒模型.

关 键 词:二氧化钛  电学性能  频谱  掺杂  低压压敏陶瓷
文章编号:1004-2474(2001)05-0402-03

Effect of Y on the Properties of Low-voltage TiO_2-based Varistor Ceramics
SU Wen bin ,WANG Jin feng ,LI Chang peng ,CHEN Hong cun ,LI Ming ming.Effect of Y on the Properties of Low-voltage TiO_2-based Varistor Ceramics[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2001,23(5):402-404,408.
Authors:SU Wen bin  WANG Jin feng  LI Chang peng  CHEN Hong cun  LI Ming ming
Affiliation:SU Wen bin 1,WANG Jin feng 1,LI Chang peng 1,CHEN Hong cun 1,LI Ming ming 2
Abstract:
Keywords:varistors  defect barrier model  titania  yttrium oxide  electrical properties
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