| 制备工艺参数对TiNx/Ag/TiNx低辐射膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 蒋攀,黄佳木,郝晓培,董思勤. 制备工艺参数对TiNx/Ag/TiNx低辐射膜性能的影响[J]. 材料导报, 2010, 24(22) |
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| 作者姓名： | 蒋攀 黄佳木 郝晓培 董思勤 |
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| 作者单位： | 重庆大学材料科学与工程学院,重庆,400045;重庆大学材料科学与工程学院,重庆,400045;重庆大学材料科学与工程学院,重庆,400045;重庆大学材料科学与工程学院,重庆,400045 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上沉积了TiNx/Ag/TiNx低辐射膜,研究了制备工艺参数对低辐射膜光学性能的影响以及低辐射膜的耐腐蚀性能.结果表明,TiNx薄膜可对膜系起到很好的保护作用,当膜系的TiNx保护层厚度为32nm、内层TiNx膜厚为16nm(氮气流量为55sccm)、Ag层厚度为16nm时,制备的低辐射膜系具有优良的透过率、低辐射性能和耐腐蚀性能.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 TiNx/Ag/TiNx低辐射 耐腐蚀性能 透过率 |
Effect of Preparing Parameters on Properties of TiNx/Ag/TiNx Low-emissivity Film |
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| JIANG Pan,HUANG Jiamu,HAO Xiaopei,DONG Siqin. Effect of Preparing Parameters on Properties of TiNx/Ag/TiNx Low-emissivity Film[J]. Materials Review, 2010, 24(22) |
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| Authors: | JIANG Pan HUANG Jiamu HAO Xiaopei DONG Siqin |
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