直拉法晶体生长采样调节自动控径系统 |
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引用本文: | 周德卿,朱学林,陆宗仪.直拉法晶体生长采样调节自动控径系统[J].激光与红外,1983(1). |
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作者姓名: | 周德卿 朱学林 陆宗仪 |
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作者单位: | 5308厂设计所,5308厂设计所,5308厂设计所 |
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摘 要: | 直拉法晶体生长的自动控径方法,国内外已有不少报导。熔体称量法是常用的一种。有关文献指出,晶体直径对单晶炉加热功率的响应,存在着不可忽略的死区纯滞后和较长的热时间常数,这在电阻加热单晶炉及大型单晶炉中尤为严重。而目前的自动控径系统多属简单回路调节系统或前馈调节系统,长出的晶体虽然宏观等径,显微生长速率却发生较大的起伏。我们根据等径控制的实质问题在于控制晶体显微生长速率的理论,建立了采样串接调节系统,有效地克服了单晶炉的纯
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