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| Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制 | |
| 引用本文： | 尹文艳,杨合情,宋玉哲,万秀琴,任荣贞.Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制[J].硅酸盐通报,2006(3). |
| 作者姓名： | 尹文艳 杨合情 宋玉哲 万秀琴 任荣贞 |
| 作者单位： | 陕西师范大学化学与材料科学学院 西安710062 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(20443006，20573072)，陕西省自然科学基金(2003E.06). |
| 摘 要： | 论述了Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法。物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包括高温有机液相合成法、有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法等。其中高温有机液相合成法较易制备尺寸均一、稳定的半导体纳米晶,有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法设备简单、反应条件温和,具有广阔的应用前景。 |
| 关 键 词： | Ⅲ-V族半导体 纳米材料 合成 尺寸控制 |
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