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| GaAs／AlGaAs单量子阱中界面粗糙度散射 | |
| 引用本文： | 王杏华,郑厚植,余涛.GaAs／AlGaAs单量子阱中界面粗糙度散射[J].半导体学报,1994,15(5):329-332. |
| 作者姓名： | 王杏华 郑厚植 余涛 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，芬兰图尔库大学Ｗｉｈｕｒｉ物理研究所 |
| 摘 要： | 对三种不同生长条件、不同质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱进行了输运性质和光致发光谱的研究．在低迁移率的样品中，界面粗糙度对二维电子气的散射起主导作用．我们的研究也表明了：采用（ＧａＡｓ）４／（ＡｌＡｓ）２超晶格代替常规的ＡｌＧａＡｓ层，或在异质结界面生长过程中的停顿，都能有效地减少界面粗糙度． |
| 关 键 词： | 界面 粗糙率 砷化镓 AlGaAs 量子阱 |
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