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ULSI制造中铜CMP抛光液研究
引用本文:周国安,王学军,柳滨,邱勤.ULSI制造中铜CMP抛光液研究[J].电子工业专用设备,2008,37(2):4-6,35.
作者姓名:周国安  王学军  柳滨  邱勤
作者单位:中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东,燕郊,101601;中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东,燕郊,101601;中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东,燕郊,101601;中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东,燕郊,101601
摘    要:ULSI制造中的层间介质化学机械抛光的发展趋势和要求进行了讨论,分析了铜化学机械抛光的材料去除过程,讨论了酸性和碱性两种铜抛光液的组成和一些组分的功能,指出了今后抛光液的研究发展方向。

关 键 词:化学机械抛光  抛光液  
文章编号:1004-4507(2008)02-0004-04
收稿时间:2008-01-15
修稿时间:2008年1月15日

Study on Copper CMP Slurry in ULSI Manufacturing
ZHOU Guo-an,WANG Xue-jun,LIU Bing,QIN Qiu.Study on Copper CMP Slurry in ULSI Manufacturing[J].Equipment for Electronic Products Marufacturing,2008,37(2):4-6,35.
Authors:ZHOU Guo-an  WANG Xue-jun  LIU Bing  QIN Qiu
Abstract:The development trend and demand of interlayer medium CMP are discussed. Material removal process of copper CMP and the important effect of slurry are analyzed. At the end of the paper, the research and development trends for copper CMP and the slurry are introduced.
Keywords:CMP  slurry  copper
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