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| 硅片抛光工艺质量微细差别的椭偏光谱法鉴别 | |
| 作者姓名： | 陈哉 钱佑华 |
| 作者单位： | 复旦大学现代物理所 上海 (陈哉),复旦大学现代物理所 上海(钱佑华) |
| 摘 要： | 用椭偏光谱研究了硅片抛光的表面质量.假设一个四相模型,对测量数据进行分析处理.结果表明,(ⅰ)用带间光谱的E_1结构,可以分辨表层质量的稍优或稍劣,而不一定要用E_2结构.(ⅱ)在E_1结构附近,用介电函数的实部B＇(hv)区分表层质量的微细差异,似乎比用其虚部B＂(hv)效果更佳. |
| 关 键 词： | 硅 抛光损伤 椭偏光谱术 |
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