| GSMBE生长 1.8- 2.0μm波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 柏劲松,方祖捷,张云妹,张位在,陈高庭,李爱珍,陈建新.GSMBE生长 1.8- 2.0μm波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器[J].半导体学报,2001,22(1):40-46. |
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| 作者姓名： | 柏劲松 方祖捷 张云妹 张位在 陈高庭 李爱珍 陈建新 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院上海光学与精密机械研究所，上海201800 [2]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室，上 |
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| 基金项目： | 中国科学院基础研究项目;KJ951-81-706-06; |
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| 摘 要： | 报道了气态分子束外延 ( GSMBE)生长 1.8— 2 .0μm波段 In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器的研究结果 .1.8μm波段采用平面电极条形结构 ,已制备成功 10μm和 80μm条宽器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温下光致发光中心波长约为 1.82μm,在 77K温度下以脉冲方式激射 ,阈值电流分别约为 2 5 0 m A和 6 0 0 m A ,中心波长分别在 1.6 9μm和 1.73μm附近 .2 .0μm波段 ,制备成功 8μm宽脊波导结构器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温光致发光中心波长约为1.98μm ,77K温度下以脉冲方式激射 ,阈值电流约为 2 0 m A ,中心波长约为 1.89μm,其电流限制和纵模限制效
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| 关 键 词： | GSMBE 中红外波段 应变量子阱激光器 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）01-0040-07 |
| 修稿时间： | 2000年1月9日 |
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