| 氧化铋薄膜的制备及其性能表征 |
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| 引用本文： | 张争光,王秀峰,王莉丽,田清泉. 氧化铋薄膜的制备及其性能表征[J]. 硅酸盐通报, 2008, 27(2): 411-414 |
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| 作者姓名： | 张争光 王秀峰 王莉丽 田清泉 |
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| 作者单位： | 陕西科技大学材料科学与工程学院,西安,710021;咸阳师范学院,咸阳,712600;陕西科技大学材料科学与工程学院,西安,710021 |
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| 摘 要： | 利用化学水浴沉积法在室温下制备了多晶氧化铋薄膜,并在350℃的空气气氛条件下进行退火处理,得到纯的α-Bi2O3,薄膜.对它们的晶相结构、光电性能进行测试.从X衍射分析结果来看,在退火过程中,薄膜结构由四方相和非化学计量相向单斜相转变.光学性质显示退火处理的薄膜吸收边缘明显的向长波的方向移动,发生红移现象,而且禁带宽度减少了0.4eV.退火后的薄膜在室温下暗电导率下降2个数量级.电导率的变化显示具有半导体行为的性质.
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| 关 键 词： | 氧化铋 化学水浴法 禁带宽度 电导率 |
| 文章编号： | 1001-1625(2008)02-0411-04 |
Preparation and Characterization of Bismuth Oxide Thin Films |
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| ZHANG Zheng-guang,WANG Xiu-feng,WANG Li-li,TIAN Qing-quan. Preparation and Characterization of Bismuth Oxide Thin Films[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2008, 27(2): 411-414 |
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| Authors: | ZHANG Zheng-guang WANG Xiu-feng WANG Li-li TIAN Qing-quan |
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