| 杂质和缺陷对铸造多晶硅寿命分布的影响 |
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| 引用本文： | 朱鑫 邓海 唐骏 席珍强 杨德仁. 杂质和缺陷对铸造多晶硅寿命分布的影响[J]. 太阳能学报, 2007, 28(12): 1300-1303 |
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| 作者姓名： | 朱鑫 邓海 唐骏 席珍强 杨德仁 |
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| 作者单位： | 朱鑫（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;邓海（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;唐骏（宁波晶元太阳能有限公司,宁波,315800）;席珍强（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;杨德仁（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027） |
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| 基金项目： | 国家"十五"攻关项目(2004BA410A02);教育部"创新团队"项目 |
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| 摘 要： | 铸造多晶硅的原生少子寿命沿晶锭生长方向呈倒U字型分布,对应于硅锭体内缺陷和主要杂质的规律性分布.硅锭中部Fe浓度低,微缺陷较少,对应的体寿命相对较高.硅锭底部高浓度的O、Fe杂质及高密度微缺陷导致了该区域体寿命偏低;硅锭顶部存在高浓度的C、Fe杂质及大量微缺陷,尤其是高密度位错与铁的相互作用导致该区域体寿命偏低.大量沉淀和结构缺陷并存使得晶锭底部和顶部的材料难以通过吸杂和钝化来改善少子寿命.
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| 关 键 词： | 多晶硅 太阳电池 少子寿命 杂质 缺陷 |
| 文章编号： | 0254-0096(2007)12-1300-04 |
| 修稿时间： | 2006-11-13 |
EFFECTS OF IMPURITIES AND DEFECTS ON THE DISTRIBUTION OF MINORITY CARRIER LIFETIME IN MULTI-CRYSTALLINE SILICON |
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