| 刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响 |
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| 作者姓名： | 张萍 刘军林 郑畅达 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047 |
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| 摘 要： | 在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片.本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性.在切割成单个芯片之前,对尺寸为200μ×200μm的芯片分别通高达500mA的大电流在测试台上加速老化.结果表明:刻蚀深度为0.8和1.2μm的芯片相对于刻蚀深度为0.5μm的芯片,其正向电压更低且光强衰减更慢,抗静电性能随老化时间变得更稳定,刻蚀深度为0.8μm的芯片抗静电性能强于刻蚀深度为1.2μm的芯片.
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| 关 键 词： | 蓝光LED GaN Si衬底 快速老化 刻蚀 静电 |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)03-0563-03 |
| 收稿时间： | 2007-07-05 |
| 修稿时间： | 2007-12-05 |
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