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| YG6硼化综合处理后基体温度对金刚石薄膜的影响 | |
| 引用本文： | 魏秋平,余志明,马莉,胡德莹,李媛,刘王平,肖和. YG6硼化综合处理后基体温度对金刚石薄膜的影响[J]. 中国表面工程, 2006, 19(6): 29-34 |
| 作者姓名： | 魏秋平 余志明 马莉 胡德莹 李媛 刘王平 肖和 |
| 作者单位： | 1. 中南大学,材料科学与工程学院,长沙,410083 2. 中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083 3. 中南大学,材料科学与工程学院,长沙,410083;株洲硬质合金集团有限公司,株洲,412000 4. 株洲硬质合金集团有限公司,株洲,412000 |
| 摘 要： | 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,以甲烷和氢气为反应气体,在经950℃×6h硼化综合处理后的YG6(WC–6%Co)硬质合金基体上制备了金刚石膜。使用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)对金刚石薄膜进行检测分析、对比,研究了基体温度对金刚石薄膜形貌和生长织构的影响,比较了硼化综合处理与二步法处理对金刚石薄膜附着性能的影响。结果表明,当沉积气压为2.67kPa,碳源浓度为3.3%时,薄膜表面形貌和生长织构随着基体温度改变有明显的变化,硼化综合处理较二步法预处理更加有效地改善了膜–基附着性能。 |
| 关 键 词： | 金刚石薄膜 硬质合金 基体温度 硼化处理 附着性能 |
| 文章编号： | 1007-9289(2006)05-0029-06 |
| 收稿时间： | 2006-08-21 |
| 修稿时间： | 2006-09-28 |
Effect of Substrate Temperature on Diamond Film on Boronized WC-6%Co Substrate |
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| WEI Qiu-ping,YU Zhi-ming,MA Li,HU De-ying,LI Yuan,LIU Wang-ping,XIAO He. Effect of Substrate Temperature on Diamond Film on Boronized WC-6%Co Substrate[J]. China Surface Engineering, 2006, 19(6): 29-34 | |
| Authors: | WEI Qiu-ping YU Zhi-ming MA Li HU De-ying LI Yuan LIU Wang-ping XIAO He |
| Abstract: | |
| Keywords: | diamond films cemented carbide substrate temperature boronizing pretreatment adhesion |
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