| Ag／AuGeNi／n－GaSb欧姆接触的研究 |
| |
| 引用本文： | 钟兴儒,刘爱民,林兰英,常秀兰,陶琨,陈顺英. Ag／AuGeNi／n－GaSb欧姆接触的研究[J]. 太阳能学报, 1995, 0(4) |
| |
| 作者姓名： | 钟兴儒 刘爱民 林兰英 常秀兰 陶琨 陈顺英 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，清华大学材料科学研究所 |
| |
| 摘 要： | 研究了Ａｇ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＳｂ在１５０℃一４５０℃下合金处理对欧姆接触的影响，最佳合金温度为２２０℃，此时接触电阻率为６．７×１Ｏ－‘Ωｃｍ‘。用ＡＥＳ和ＸＲＤ研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化，并讨论了接触电阻率与微结构的关系。
|
| 关 键 词： | 欧姆接触，接触电阻率，微结构 |
THE STUDY OF THE OHMIC CONTACTS OF Ag/AuGeNi/N-GaSb |
| |
| Zhong Xingru, Liu Aimin, Lin Lanying, Chang Xiulan. THE STUDY OF THE OHMIC CONTACTS OF Ag/AuGeNi/N-GaSb[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 1995, 0(4) |
| |
| Authors: | Zhong Xingru Liu Aimin Lin Lanying Chang Xiulan |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | hmic contact contact resistivity microstructure |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
