| 新型湿法氧化对多孔硅发光强度的影响 |
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| 引用本文： | 蔡贝妮,陈松岩,曾明刚,蔡加法.新型湿法氧化对多孔硅发光强度的影响[J].光电子．激光,2004,15(8):951-954. |
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| 作者姓名： | 蔡贝妮 陈松岩 曾明刚 蔡加法 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理与机电工程学院,厦门,361005;厦门大学物理与机电工程学院,厦门,361005;厦门大学物理与机电工程学院,厦门,361005;厦门大学物理与机电工程学院,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径。首次采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化，大大改善了多孔硅的发光强度，并研究了氧化电流密度、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响。实验发现，在电流密度1mA/cm^2，氧化液温度60℃，氧化时间为10min的条件下，可以获得最强光致发光；在此最优条件下得到的氧化样品较初始样品发光增强了18倍。
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| 关 键 词： | 多孔硅(PS) 湿法氧化 光致发光(PL) |
| 文章编号： | 1005-0086(2004)08-0951-04 |
Effect on Photoluminescence Intensity of Porous Silicon Processing by a Wet Oxidized Technology |
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| CAI Bei-ni,CHEN Song-yan,ZENG Ming-gang,CAI Jia-fa.Effect on Photoluminescence Intensity of Porous Silicon Processing by a Wet Oxidized Technology[J].Journal of Optoelectronics·laser,2004,15(8):951-954. |
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| Authors: | CAI Bei-ni CHEN Song-yan ZENG Ming-gang CAI Jia-fa |
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| Affiliation: | CAI Bei-ni~*,CHEN Song-yan,ZENG Ming-gang,CAI Jia-fa |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon(PS) wet oxidized photoluminescence |
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