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基于CMOS亚阈值特性的低功耗温度传感器
引用本文:张洵,王鹏,靳东明.基于CMOS亚阈值特性的低功耗温度传感器[J].半导体学报,2006,27(9):1676-1680.
作者姓名:张洵  王鹏  靳东明
作者单位:清华大学微电子所,北京 100084;清华大学微电子所,北京 100084;清华大学微电子所,北京 100084
基金项目:致谢 感谢徐志浩在本文的测试和写作过程中给予的支持和帮助.
摘    要:针对片上系统测温及其过温保护问题,提出了一种基于CMOS亚阈值特性制造的低功耗温度传感器.CSMC 0.6μm数模混合工艺仿真表明,其在-50~150℃的温度范围内,都能良好工作,且因为运放负反馈结构对电源电压具有较高的抑制,在2~6V的范围内都能得到正确的输出结果.芯片实测,温度灵敏度为0.77V/℃.因为基于CMOS亚阈值特性产生了电路的偏置电流,所以工作电流仅16μA.芯片面积300μm×250μm.该传感器的特性表明它非常适用于高容量的集成微系统中,在计算机、汽车电子、生物医学等领域有着广阔的应用前景.

关 键 词:温度传感器  温度保护电路  电源电压抑止比  温度灵敏度  CMOS  亚阈值特性  低功耗  温度传感器  Characteristic  Based  Sensors  前景  应用  生物医学  汽车电子  计算机  微系统  集成  高容量  特性表  芯片面积  工作电流  偏置电流  电路
文章编号:0253-4177(2006)09-1676-05
收稿时间:3/9/2006 3:22:45 PM
修稿时间:4/9/2006 1:03:52 PM

Temperature Sensors Based on CMOS Sub-Threshold Characteristic
Zhang Xun,Wang Peng and Jin Dongming.Temperature Sensors Based on CMOS Sub-Threshold Characteristic[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(9):1676-1680.
Authors:Zhang Xun  Wang Peng and Jin Dongming
Affiliation:Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China
Abstract:
Keywords:temperature sensor  temperature protecting circuit  power supply rejection ratio  temperature sensitivity
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