| 重掺碲(100) GaSb 单晶的研制 |
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| 引用本文： | 黎建明,屠海令,郑安生,罗志强.重掺碲(100) GaSb 单晶的研制[J].稀有金属,2000,24(5):335-337. |
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| 作者姓名： | 黎建明 屠海令 郑安生 罗志强 |
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| 作者单位： | 北京有色金研究总院,北京,100088 |
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| 摘 要： | 采用LEC工艺 ,通过特殊的过滤措施 ,可以批量拉制重掺碲的GaSb单晶材料。计算结果表明 ,在该生长系统及工艺条件下 ,碲在GaSb中的有效分凝系数约为 0 38。GaSb单晶EPD测试表明 :EPD沿径向分布呈“W”型 ,数量约为 1× 1 0 3cm- 2 ;沿晶体生长方向 (1 0 0 )变化不大。
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| 关 键 词： | GaSb 有效分凝系数 EPD 单晶 研制 |
| 修稿时间： | 1999-12-29 |
Preparation of Heavily Te-doped GaSb Single Crystal |
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| Li Jianming,Tu Hailing,Zheng Ansheng,Luo Zhiqiang.Preparation of Heavily Te-doped GaSb Single Crystal[J].Chinese Journal of Rare Metals,2000,24(5):335-337. |
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| Authors: | Li Jianming Tu Hailing Zheng Ansheng Luo Zhiqiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaSb Effective distribution coefficient Etch pit density |
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