|
|||||
|
|
| 宽带半导体材料分子束外延的最新进展 | |
| 引用本文： | 钟景昌.宽带半导体材料分子束外延的最新进展[J].半导体光电,1990,11(2):148-156. |
| 作者姓名： | 钟景昌 |
| 作者单位： | 长春光机学院 长春 |
| 摘 要： | 本文评述了分子束外延在以 ZnSe 为代表的宽带半导体材料及其超晶格结构研究中的最新进展。介绍了在晶格匹配和不匹配的衬底上分子束外延生长 ZnSe等Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体和有关的材料分析。叙述了在 ZnTe,Zn(S、Se)以及磁性半导体 MnSe 和低磁性半导体 Zn_(1-x)Mn_xSe 上生长 ZnSe 所形成的超晶格和多量子阱结构,并在此基础上说明了一些相关的物理现象。 |
| 关 键 词： | 半导体材料 分子束外延 宽带 |
Recent Advances in Molecular Beam Epitaxy for Wide-Bandgap Semiconductor Materials |
|
| Zhong Jingchang Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics Changchua.Recent Advances in Molecular Beam Epitaxy for Wide-Bandgap Semiconductor Materials[J].Semiconductor Optoelectronics,1990,11(2):148-156. | |
| Authors: | Zhong Jingchang Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics Changchua |
| Affiliation: | Zhong Jingchang Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics Changchua 130022 |
| Abstract: | |
| Keywords: | Molecular Beam Epitaxy Wide-Bandgap Semiconductor Material Superlattice and Multiple Quantum Well |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |