用高分辨率电子显微技术研究Ⅲ族氮化物半导体的特性期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

用高分辨率电子显微技术研究Ⅲ族氮化物半导体的特性

摘要：	利用高分辨率电子显微技术研究了等离子体增强分子束外延（ＰＥ－ＭＢＥ）生长的ＧａＮ，ＡｌＮ和ＩｎＮ薄膜的微结构特性。闪锌矿和纤锌矿多晶相分别在（００１）ＧａＡｓ和（０００１）６Ｈ－ＳｉＣ衬底上优先成核。沿｛１１１｝平面的层错和微孪晶是闪锌矿结构薄膜的主要缺陷，而在纤锌矿结构薄膜中，以沿｛０００２｝平面的层错和始于衬底表面的线缺陷更为常见。在适宜的缓冲层上生长的薄膜晶体质量有所提高
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