| 电子俘获光存储材料的最新研究进展 |
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| 引用本文： | 王欣姿,王永生,孙力,孟宪国. 电子俘获光存储材料的最新研究进展[J]. 光电子技术与信息, 2005, 18(2): 6-10 |
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| 作者姓名： | 王欣姿 王永生 孙力 孟宪国 |
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| 作者单位： | 北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(10274001);教育部重点(重大)项目资助 |
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| 摘 要： | 电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料，它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上。只有经过合适的读出光照射，被束缚住的电子(空穴)才能脱离陷阱复合发光。发光在空间的强度分布与写入光的分布一致，即再现了写入光的信息。电子俘获材料的种类很多，研究进展各不相同。其中，以作为X光影像存储材料的BaFBr：Eu为代表的碱土金属氟卤化物已经广泛应用于医疗诊断方面。本文分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展，尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。
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| 关 键 词： | 电子俘获 光激励发光 光存储 玻璃陶瓷 |
| 文章编号： | 1006-1231(2005)02-0006-05 |
The Latest Development of Electron Trapping Materials |
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| WANG Xin-zi,WANG Yong-sheng,SUN Li,MENG Xian-guo. The Latest Development of Electron Trapping Materials[J]. Optoelectronic Technology & Information, 2005, 18(2): 6-10 |
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| Authors: | WANG Xin-zi WANG Yong-sheng SUN Li MENG Xian-guo |
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