| 半导体激光器参数的外腔法测量 |
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| 引用本文： | 李大义,陈建国,卢玉村,潘大任.半导体激光器参数的外腔法测量[J].中国激光,1991,18(9):668-671. |
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| 作者姓名： | 李大义 陈建国 卢玉村 潘大任 |
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| 作者单位： | 四川大学物理系，四川大学物理系，四川大学物理系，四川大学物理系 成都 610064，成都 610064，成都 610064，成都 610064 |
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| 基金项目： | 国家教委博士点基金项目 |
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| 摘 要： | 通过测量运行在外腔中的半导体激光器的P-I(功率电流)曲线,可以确定二极管激光器的重要参量——吸收系数α、对电流的微分小信号增益系数dg/dI以及光子寿命等。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 外腔 |
| 收稿时间： | 1989/9/14 |
Measurement of parameters of semiconductor lasers via operating in an external cavity |
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| Li Dayi,Chen Jianguo,Lu Yuchun,Pan Daren.Measurement of parameters of semiconductor lasers via operating in an external cavity[J].Chinese Journal of Lasers,1991,18(9):668-671. |
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| Authors: | Li Dayi Chen Jianguo Lu Yuchun Pan Daren |
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| Abstract: | Measurement of P-I (power-current) curves of the semiconductor laser in an external cavity may lead to the determination of such diode parameters as the absorption coefficient a, the differential small signal gain coefficient dg/dI and the photon lifetime τ. As a result, a simple and easy method has been proposed to designate some important parameters of semiconductor lasers. |
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| Keywords: | semiconductor laser external cavity |
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