| 两种高频CMOS压控振荡器的设计与研究 |
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| 引用本文： | 张爱琴,段吉海,秦志杰. 两种高频CMOS压控振荡器的设计与研究[J]. 电子科技, 2009, 22(11): 104-107 |
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| 作者姓名： | 张爱琴 段吉海 秦志杰 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学,信息与通信学院,广西,桂林,541004;桂林电子科技大学,信息与通信学院,广西,桂林,541004;桂林电子科技大学,信息与通信学院,广西,桂林,541004 |
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| 摘 要： | 设计了两种压控振荡器,一种为反相器环形振荡器,另一种为差分环形振荡器。采用0.18μm标准CMOS工艺进行模拟,后仿真的结果显示压控环形结构的最高频率达到3.3GHz,在1.8V电源下的功耗为2.34mW。对压控振荡器的最大工作频率、功耗、压频传输特性等进行了分析比较,总结了高性能压控振荡器应具备的条件。
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| 关 键 词： | 锁相环 CMOS 压控振荡器 相位噪声 |
The Comparison and Design of Two Types of High Frequency Integrated CMOS Voltage-Controlled Oscillator |
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| Zhang Aiqin,Duan Jihai,Qin Zhijie. The Comparison and Design of Two Types of High Frequency Integrated CMOS Voltage-Controlled Oscillator[J]. Electronic Science and Technology, 2009, 22(11): 104-107 |
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| Authors: | Zhang Aiqin Duan Jihai Qin Zhijie |
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| Affiliation: | Zhang Aiqin,Duan Jihai,Qin Zhijie(School of Information and Communications,Guilin University of Electronic and Technology,Giulin 541004,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS |
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