| 808 nm半导体激光器的温度特性 |
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| 引用本文： | 马祥柱,霍晋,曲轶,杜石磊. 808 nm半导体激光器的温度特性[J]. 激光与红外, 2010, 40(12): 1306-1309 |
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| 作者姓名： | 马祥柱 霍晋 曲轶 杜石磊 |
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| 作者单位： | 1. 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
2. 海特光电有限责任公司,北京,100083 |
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| 摘 要： | 用波长漂移法测试了808 nm半导体激光器额定功率分别为1 W，2 W，3W的器件在不同的输出功率下的热阻，得到额定功率为1 W的器件在输出功率为1 W时的热阻最小为4.28 K/W，额定功率为2 W的器件在输出功率为2 W时的热阻最小为5.45 K/W，额定功率为3 W的器件在输出功率为3 W时的热阻最小为5.5 K/W。并对额定功率为3 W的器件在不同的占空比下进行了测试，0.5%占空比脉冲条件下温升相当于持续条件下温升的19.6%。并用ANSYS模拟了器件温度随时间的变化，得出脉冲的特点是1 ms温升就能达到稳态的50%，0.1 s就能达到稳态的95%以上。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 热阻 ANSYS 温度 |
Temperature characteristics of 808 nm semiconductor lasers |
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| MA Xiang-zhu,HUO Jin,QU Yi,DU Shi-lei. Temperature characteristics of 808 nm semiconductor lasers[J]. Laser & Infrared, 2010, 40(12): 1306-1309 |
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| Authors: | MA Xiang-zhu HUO Jin QU Yi DU Shi-lei |
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| Affiliation: | National Key Laboratory on High Power Semiconductor Laser of Changchun University of Science and Technology,Changchun 130022,China;Hi-Tech Optoelectronics Co.,Ltd.,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor lasers thermal-resistor ANSYS temperature |
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