| 低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计 |
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| 引用本文： | 丁恒,卢启堂,王家礼. 低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计[J]. 现代电子技术, 2006, 29(8): 4-5,9 |
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| 作者姓名： | 丁恒 卢启堂 王家礼 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学,机电工程学院,陕西,西安,710071
2. 上海泰立特通信技术有限公司,上海,200235 |
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| 摘 要： | 与传统的硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结双极晶体管(HBT)具有特征频率高、1/f噪声小的优点,可以用在微波频段内的单片集成电路设计中。采用异质结双极晶体管(HBT)设计一种低相位噪声HBT单片VCO电路,芯片电路测试结果:电压控制频率范围fo=8.0~9.5 GHz;输出功率Pout=7~9.5 dBm;在偏离振荡中心频率foffset为100 kHz时相位噪声Pn=-106 dBc/Hz。
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| 关 键 词： | HBT 压控振荡器 微波单片集成电路 相位噪声 |
| 文章编号： | 1004-373X（2006）08-004-02 |
| 收稿时间： | 2005-10-13 |
| 修稿时间： | 2005-10-13 |
A Design of Low Phase Noise HBT Voltage Controlled Oscillator |
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| DING Heng,LU Qitang,WANG Jiali. A Design of Low Phase Noise HBT Voltage Controlled Oscillator[J]. Modern Electronic Technique, 2006, 29(8): 4-5,9 |
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| Authors: | DING Heng LU Qitang WANG Jiali |
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| Abstract: | Comparing with traditional Si Bipolar Junction Transistor BJT,the Heterojunction Bipolar Transistor HBThas advantages of high frequency and low noise of 1/f,so it can be used in the design of MMIC.This paper reports a design of HBT MMIC of VCO,which has low phase noise.The key measurements of the VCO are: it covers the 8.0~9.5 GHz frequency range with an output power of 7~9 dBm,the phase noise is-106 dBc/Hz at 100 kHz offset. |
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| Keywords: | HBT voltage controlled oscillator MMIC phase noise |
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