| 基于喷墨打印的In2 O3/IGZO TFT的电学性能 |
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| 引用本文： | 梁坤,邵霜霜,罗慢慢,谢建军,赵建文,崔铮.基于喷墨打印的In2 O3/IGZO TFT的电学性能[J].半导体技术,2019,44(5):349-355. |
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| 作者姓名： | 梁坤 邵霜霜 罗慢慢 谢建军 赵建文 崔铮 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院,上海200444;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所印刷电子研究中心,江苏苏州215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所印刷电子研究中心,江苏苏州,215123;上海大学材料科学与工程学院,上海,200444 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划资助项目(2016YFB0401100) |
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| 摘 要： | 利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟氧化物(In_2O_3)薄膜和性能明显改善的双层In_2O_3/IGZO异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性。结果表明,喷墨打印制备的金属氧化物薄膜具有较高的光学透过率与较低的表面粗糙度;嵌入的In_2O_3层薄膜能减小IGZO与In_2O_3间的界面缺陷,明显提高In_2O_3/IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能及其偏压稳定性。随着IGZO中In含量的增加,载流子浓度升高,器件的迁移率增大,但In_2O_3与IGZO间能级势垒会逐渐降低,最后导致难以控制关态电流和阈值电压,因此,适当调整In的比例有利于获得较高器件性能的In_2O_3/IGZO异质结沟道TFT。
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| 关 键 词： | 非晶铟镓锌氧化物(IGZO) 喷墨打印 In2O3 异质结沟道层 薄膜晶体管(TFT) |
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