| n-CdTe Schottky势垒薄膜太阳能电池中嵌入p型层对其势垒高度影响的计算机模拟 |
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| 引用本文： | 林鸿生.n-CdTe Schottky势垒薄膜太阳能电池中嵌入p型层对其势垒高度影响的计算机模拟[J].半导体技术,1998(2). |
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| 作者姓名： | 林鸿生 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系 |
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| 摘 要： | 通过求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡态金属：ｐ－ｎ－ＣｄＴｅＳｃｈｏｔｋｙ势垒薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。嵌入的ｐ型层增大传统金属：ｎ－ＣｄＴｅ结的有效Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒高度与ｐ型层厚度、掺杂浓度以及ｎ－ＣｄＴｅ本底电阻率有依赖关系。最后讨论嵌入ｐ型层增强ＣｄＴｅＳｃｈｏｔｋｙ势垒太阳能电池对光生载流子的收集作用。
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| 关 键 词： | CdTe基薄膜太阳能电池 有效Schottky势垒高度 Newton－Raphson解法 |
Computer Simulation for the Effects of Inserted p Type Layer on Barrier Height of n CdTe Schottky Barrier Thin Film Solar Cell |
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| Lin Hongsheng.Computer Simulation for the Effects of Inserted p Type Layer on Barrier Height of n CdTe Schottky Barrier Thin Film Solar Cell[J].Semiconductor Technology,1998(2). |
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| Authors: | Lin Hongsheng |
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| Abstract: | A computer simulation of metal: p n CdTe Schottky bbarrier solar cells at equilibrium with Poisson equation has been developed.The effective Schottky barrier height of the inserted p type traditional metal:n CdTe junction is dependent on the p type layer htickness,droping profile,and n CdTe background restivity. |
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| Keywords: | CdTe based thin film solar cell Effective Schottky barrier height Newton Raphson solution technique |
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