| ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性 |
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| 引用本文： | 何欢,秦福文,吴爱民,王叶安,代由勇,姜辛,徐茵,顾彪.ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性[J].半导体学报,2007,28(7):1053-1057. |
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| 作者姓名： | 何欢 秦福文 吴爱民 王叶安 代由勇 姜辛 徐茵 顾彪 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;山东大学物理与微电子学院，济南 250100;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 116024 |
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| 摘 要： | 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K.
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| 关 键 词： | ECR-PEMOCVD 稀磁半导体 GaMnN 室温铁磁性 居里温度 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）07-1053-05 |
| 修稿时间： | 3/13/2007 8:54:01 AM |
Characteristics of GaMnN Film Grown by ECR-PEMOCVD |
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| He Huan,Qin Fuwen,Wu Aimin,Wang Ye''an,Dai Youyong,Jiang Xin,Xu Yin and Gu Biao.Characteristics of GaMnN Film Grown by ECR-PEMOCVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(7):1053-1057. |
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| Authors: | He Huan Qin Fuwen Wu Aimin Wang Ye'an Dai Youyong Jiang Xin Xu Yin and Gu Biao |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Materials Modification,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China;State Key Laboratory of Materials Modification,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China;State Key Laboratory of Materials Modification,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China;State Key Laboratory of Materials Modification,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China;School of Physics and Microelectronics,Shandong University,Jinan 250100,China;State Key Laboratory of Materials Modification,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China;State Key Laboratory of Materials Modification,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China;State Key Laboratory of Materials Modification,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ECR-PEMOCVD DMS GaMnN ferromagnetism at room temperature Curie temperature |
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