| 新型Q开关晶体Cr4+:YAG的生长和被动调Q研究 |
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| 引用本文： | 黄朝红,肖敬忠,张庆礼,赵南京,王爱华,殷绍唐,余吟山.新型Q开关晶体Cr4+:YAG的生长和被动调Q研究[J].量子电子学报,2003,20(1):26-29. |
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| 作者姓名： | 黄朝红 肖敬忠 张庆礼 赵南京 王爱华 殷绍唐 余吟山 |
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| 作者单位： | 中国科学院安徽光学精密机械研究所新型激光器和晶体材料研究室,合肥,230031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目(项目号:5983208). |
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| 摘 要： | 本文工作采用二价Ca离子作为电荷补偿离子由提拉法生长出了具有高光学质量的调Q开关晶体Cr^4 :YAG。所生长的晶体在空气中退火（1450℃）50小时后，晶体的颜色明显加深，吸收光谱测量表明晶体中的Cr^4 离子浓度得到显著提高。在闪光灯泵浦的Nd:YAG激光器上对不同透过率、退火后的Cr^4 :YAG晶体进行了被动调Q实验。结果表明所生长出的Cr^4 :YAG晶体对Nd:YAG激光器具有很好的调Q作用。
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| 关 键 词： | 晶体生长 退火 被动调Q 灯泵Nd：YAG激光器 调Q固体激光器 Cr^4＋：YAG |
| 文章编号： | 1007-5461(2003)01-0026-04 |
| 收稿时间： | 2002/3/7 |
| 修稿时间： | 2002年3月7日 |
Research on Crystal Growth and Passively Q-switching of Cr4+:YAG |
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| Huang Chaohong,Xiao Jingzhong,Zhang Qinli,Zhao Nanjing,Yin Shaotang,Wang Aihua,Yu Yinshan.Research on Crystal Growth and Passively Q-switching of Cr4+:YAG[J].Chinese Journal of Quantum Electronics,2003,20(1):26-29. |
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| Authors: | Huang Chaohong Xiao Jingzhong Zhang Qinli Zhao Nanjing Yin Shaotang Wang Aihua Yu Yinshan |
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| Abstract: | We grew Cr4+:YAG crystal with high optical quality by Czochralski method using divalent Ca ions as charge compensation ions. Furthermore, we also annealed the as-grown crystal in air at 1450℃ for 50 hours. Absorption spectra show that the content of Cr4+ ions and absorption coefficient at 1.06μm in Cr4+:YAG crystal annealed increase remarkably. In addition, we also researched Q-switching experiments of lamp pump Nd:YAG laser using Cr4+:YAG crystal with different thickness as absorbers. The results indicate that grown Cr4+:YAG crystal can Q-switch effectively Nd:YAG laser. |
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| Keywords: | Cr~(4+):YAG crystal growth annealing passively Q-switching lamp pumped Nd:YAG laser |
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