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980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
引用本文:徐遵图,徐俊英.980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器[J].高技术通讯,1996,6(11):4-6.
作者姓名:徐遵图  徐俊英
作者单位:中国科学院半导体研究所
摘    要:报导了脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的特性和实验结果,激光器阀值电流最低为9mA,典型值为15mA,线性输出光功率大地120mW,微分量子效率典型值为60%,50℃,80mW恒定功率条件下老化实验结果表明;该条件下激光器寿命超过1000小时。

关 键 词:应变层  量子阱  激光器  InGaAs  AlGaAs  砷化镓

980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs Strained Layer Quantum Well Lasers
Xu Zuntu, Xu Junying, Yang Guowen, Zhang Jingming,Xiao Jianwei, He Xiaoxi, Zheng Wanhua, Chen Lianghui.980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs Strained Layer Quantum Well Lasers[J].High Technology Letters,1996,6(11):4-6.
Authors:Xu Zuntu  Xu Junying  Yang Guowen  Zhang Jingming  Xiao Jianwei  He Xiaoxi  Zheng Wanhua  Chen Lianghui
Abstract:
Keywords:Ridge waveguide  Strained layer  Quantum well laser  
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